机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2013 [3]
• 2012 [2]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN_AlN_GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102 Cao Zhi-Fang , Lin Zhao-Jun, Lü Yuan-Jie, Luan Chong-Biao and Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2014/03/18 Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102 Cao Zhi-Fang; Lin Zhao-Jun; Lu Yuan-Jie; Luan Chong-Biao; Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 Electron mobility in the linear region of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文  OAI收割 chin. phys. b, 2013, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 067203 Yu Ying-Xia, Lin Zhao-Jun, Luan Chong-Biao, Wang Yu-Tang, Chen Hong, Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2014/03/18 A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 097104 Lu YJ (Lu Yuan-Jie); Lin ZJ (Lin Zhao-Jun); Yu YX (Yu Ying-Xia); Meng LG (Meng Ling-Guo); Cao ZF (Cao Zhi-Fang); Luan CB (Luan Chong-Biao); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/04/02 A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 16741056 Lü, Yuan-Jie; Lin, Zhao-Jun; Yu, Ying-Xia; Meng, Ling-Guo; Cao, Zhi-Fang; Luan, Chong-Biao; Wang, Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/05/07