机构

• 上海应用物理研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2016 [2]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ion irradiation induced disappearance of dislocations in a nickel-based alloy 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 377, 期号: -, 页码: 94—98 作者:  Chen, HC;  Li, DH;  Lui, RD;  Huang, HF;  Li, JJ 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2016/09/12 LOW-ENERGY HELIUM  MECHANICAL-PROPERTIES  INTERSTITIAL LOOPS  MOLECULAR-DYNAMICS  EDGE DISLOCATION  CASCADE DAMAGE  KINETIC THEORY  DILUTE ALLOYS  FCC METALS  TEMPERATURE   Evolution of dislocation loops in He ion irradiated nickel under different temperature 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 120, 期号: 12, 页码: - 作者:  Chen, HC;  Lui, RD;  Ren, CL;  Huang, HF;  Li, JJ 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/03/02 Characterization of deep levels in pt-gan schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 作者:  Leung, BH;  Chan, NH;  Fong, WK;  Zhu, CF;  Ng, SW 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Deep level transient fourier spectroscopy  (dltfs)  Gallium nitride (gan)  Intermediate-temperature buffer layer (itbf)  Low-frequency noise   Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2010/08/12 deep level transient Fourier spectroscopy  (DLTFS)  gallium nitride (GaN)  intermediate-temperature buffer layer (ITBF)  low-frequency noise  RESONANT-TUNNELING DIODES  GENERATION-RECOMBINATION NOISE  RANDOM-TELEGRAPH NOISE  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  DEVICES