机构

• 西安光学精密机械研究... [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 专利 [3]

发表日期

• 1992 [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor material having si-doped gainp cap layer 专利  OAI收割 专利号: JP1992278522A, 申请日期: 1992-10-05, 公开日期: 1992-10-05 作者:  MAEDA SHIGEO;  TOYAMA OSAMU;  WATABE SHINICHI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor material provided with si-doped gainp layer 专利  OAI收割 专利号: JP1992269876A, 申请日期: 1992-09-25, 公开日期: 1992-09-25 作者:  MAEDA SHIGEO;  WATABE SHINICHI;  TADATOMO KAZUYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor material of light emitting element provided with distorted active layer 专利  OAI收割 专利号: JP1992369874A, 公开日期: 1992-12-22 作者:  TADATOMO KAZUYUKI;  WATABE SHINICHI;  MAEDA SHIGEO;  TOYAMA OSAMU   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/26