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• 西安光学精密机械研究... [5]
• 广州地球化学研究所 [2]
• 合肥物质科学研究院 [1]

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• OAI收割 [8]

内容类型

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• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2023 [1]
• 2022 [1]
• 2021 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Samples returned from the asteroid Ryugu are similar to Ivuna-type carbonaceous meteorites 期刊论文  OAI收割 SCIENCE, 2023, 卷号: 379, 期号: 6634, 页码: 786-+ 作者:  Yokoyama, Tetsuya;  Nagashima, Kazuhide;  Nakai, Izumi;  Young, Edward D.;  Abe, Yoshinari   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2024/08/22 A pristine record of outer Solar System materials from asteroid Ryugu's returned sample 期刊论文  OAI收割 NATURE ASTRONOMY, 2022, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 1163–1171 作者:  Ito, Motoo;  Tomioka, Naotaka;  Uesugi, Masayuki;  Yamaguchi, Akira;  Shirai, Naoki   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2023/09/18 Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (4th edition) 期刊论文  OAI收割 AUTOPHAGY, 2021, 卷号: 17 作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdel-Aziz, Amal Kamal;  Abdelfatah, Sara;  Abdellatif, Mahmoud;  Abdoli, Asghar   |  收藏  |  浏览/下载：319/0  |  提交时间：2021/05/31 Autophagosome  cancer  flux  LC3  lysosome  macroautophagy  neurodegeneration  phagophore  stress  vacuole   Imaging device, biometric authentication device, and semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: WO2017086033A1, 申请日期: 2017-05-26, 公开日期: 2017-05-26 作者:  ITOH, SHIN;  TSUCHIDA, KAZUHIRO;  MURATA, TOHRU;  YAMAMOTO, HIROAKI;  ARIYOSHI, AKIRA   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser element and monolithic two-wavelength semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20060072641A1, 申请日期: 2006-04-06, 公开日期: 2006-04-06 作者:  MIYAZAKI, KEISUKE;  TATSUMI, MASAKI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same 专利  OAI收割 专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/12/26 A method of fabricating a semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg 专利  OAI收割 专利号: EP0693810B1, 申请日期: 1999-04-28, 公开日期: 1999-04-28 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/24 Manufacture of wavelength stabilized semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1990253679A, 申请日期: 1990-10-12, 公开日期: 1990-10-12 作者:  MIYAZAKI KEISUKE   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31