机构

• 上海微系统与信息技术... [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [2]

学科主题

• Physics [2]
• Applied [1]
• Engineerin... [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760 Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Mussler, G; Fox, A; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/04/17 Hole mobility  quantum well (QW)  SiGe  strained Si (sSi)   Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang,B; Yu,W; Zhao,QT; Mussler,G; Jin,L; Buca,D; Hollander,B; Hartmann,JM; Zhang,M; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/10 AMER INST PHYSICS   Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang, B; Yu, W; Zhao, QT; Mussler, G; Jin, L; Buca, D; Hollander, B; Hartmann, JM; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室）; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied