中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [3]
工程热物理研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [2]
1991 [1]
1990 [1]
1989 [1]
学科主题
Combustion... [2]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Improvement on Ignition Performance for a Lean Staged Low NOx Combustor
会议论文
OAI收割
ASME, Vancouver, British Columbia, Canada, 40700
M. Kobayashi
;
R. Matsuyama
;
T. Oda
;
A. Horikawa
;
H. Ogata
;
Y. Kinoshita
;
Hitoshi Fujiwara
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2012/07/13
Improvement on Ignition Performance for a Lean Staged Low NOx Combustor
会议论文
OAI收割
Vancouver, British Columbia, Canada, 40700
作者:
M. Kobayashi
;
R. Matsuyama
;
T. Oda
;
A. Horikawa
;
H. Ogata
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/07/13
Semiconductor light emitting device including a hole barrier contiguous to an active layer
专利
OAI收割
专利号: US5073805, 申请日期: 1991-12-17, 公开日期: 1991-12-17
作者:
NOMURA, YOSHINORI
;
OGATA, HITOSHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1990248095A, 申请日期: 1990-10-03, 公开日期: 1990-10-03
作者:
NOMURA YOSHITOKU
;
OGATA HITOSHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989287982A, 申请日期: 1989-11-20, 公开日期: 1989-11-20
作者:
MARUNO SHIGEMITSU
;
SUGIMOTO HIROSHI
;
NOMURA YOSHITOKU
;
OGATA HITOSHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2020/01/13