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• 西安光学精密机械研究... [3]

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内容类型

• 专利 [3]

发表日期

• 2009 [1]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN single crystal substrate and method of making the same 专利  OAI收割 专利号: US7521339, 申请日期: 2009-04-21, 公开日期: 2009-04-21 作者:  MOTOKI, KENSAKU;  OKAHISA, TAKUJI;  MATSUMOTO, NAOKI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 GAN single crystalline substrate and method of producing thesame 专利  OAI收割 专利号: CA2311132A1, 申请日期: 1999-05-14, 公开日期: 1999-05-14 作者:  MATSUMOTO, NAOKI;  MOTOKI, KENSAKU;  OKAHISA, TAKUJI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: EP0801156A2, 公开日期: 1997-10-15 作者:  OKAHISA, TAKUJI, C/OSUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.;  SHIMAZU, MITSURU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD;  MATSUSHIMA, MASATO, SUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.;  MIURA, YOSHIKI, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.;  MOTOKI, KENSAKU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26