机构

• 上海技术物理研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2013 [2]
• 2011 [1]
• 2007 [3]

学科主题

• 红外基础研究 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 J.Alloy.Compd, 2013, 卷号: 580, 期号: 82 Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/11/10 Galliumarsenide  Nanowire  Molecularbeamepitaxy  Microstructure   Far infrared reflection spectra of InAsxSb1-x (x=0-0.4) thin films 期刊论文  OAI收割 J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 21 作者:  L.Huang Z.F.Li P.P.Chen Y.H.ZhangandW.Lu   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/11/10 Carrierconcentration  Indiumantimonides  Latticevibrations  Phonons-plasmons   Temperature-Dependent Optical Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots:Spectroscopic Measurements and an Eight-Band Study 期刊论文  OAI收割 CHIN.PHYS.LETT., 2011, 卷号: 28, 期号: 11 作者:  X.H.Zhou;  P.P.Chen;  X.S.Chen   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/10/23 Raman study of gap mode and lattice disorder effect in InN films prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 Acta Materialia, 2007, 卷号: 1, 期号: 55 作者:  J.B.Wang;  Z.F.Li;  P.P.Chen;  WeiLu;  T.Yao   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2011/10/11 Effects of rapid thermal annealing on the properties of GaNxAs1x 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 101 作者:  Z.L.Liu;  P.P.Chen;  C.Wang;  T.X.Li;  H.Y.Cuietal.   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/10/11 Optical properties and thermal stability of GaAsN alloy films 期刊论文  OAI收割 Journal of Luminescence, 2007, 卷号: 122-123 作者:  T.X.Li;  P.P.Chen;  T.Mori;  L.H.Bai;  T.Yao   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/10/11