机构

• 新疆理化技术研究所 [2]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2021 [1]
• 2020 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan);  1An, X (An, Xia) 1;  Li, GS (Li, Gensong) 1;  Liu, JY (Liu, Jingyi) 1;  Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2021/09/22 65 nmhot-carrier injection (HCI)layout-dependent effect (LDE)nMOSstressthreshold voltagetotal ionizing dose (TID)   TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2020/09/09 Bulk Si FinFET  fin width  orientation  PMOS  threshold voltage shift  total ionizing dose (TID)