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上海微系统与信息技术... [2]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
1989 [2]
1988 [1]
学科主题
Crystallog... [1]
Materials ... [1]
半导体器件 [1]
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共3条,第1-3条
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TRAP GETTERING BY ISOELECTRONIC DOPING OF P-GAAS AND N-GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1989, 卷号: 95, 期号: 1-4, 页码: 296-300
LI, A
;
KIM, HK
;
JEONG, JC
;
WONG, D
;
ZHAO, JH
;
FANG, ZQ
;
SCHLESINGER, TE
;
MILNES, AG
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提交时间:2012/03/25
PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 1989, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 405-411
FANG ZQ
;
SHAN L
;
SCHLESINGER TE
;
MILNES AG
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/15
CHARACTERIZATION OF GAAS1-YSBY GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
期刊论文
OAI收割
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 1988, 卷号: 1, 期号: 2, 页码: 203-211
LI, AZ
;
ZHAO, JH
;
JEONG, JC
;
WONG, D
;
ZHOU, WC
;
LEE, JC
;
KOYANAGI, T
;
CHEN, ZY
;
SCHLESINGER, TE
;
MILNES, AG
收藏
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提交时间:2012/03/25