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III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10
作者:  KYONO, TAKASHI;  TAKAGI, SHIMPEI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26
Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer 专利  OAI收割
专利号: US8183071, 申请日期: 2012-05-22, 公开日期: 2012-05-22
作者:  AKITA, KATSUSHI;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/24
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US7933303, 申请日期: 2011-04-26, 公开日期: 2011-04-26
作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO;  AKITA, KATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24