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Method for vapor growth of lanthanoid element doped semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1988184324A, 申请日期: 1988-07-29, 公开日期: 1988-07-29
作者:  UEI KUNIHIKO;  TAKAHEI KENICHIRO;  NAKAGOME HIROSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: CA1171506A, 申请日期: 1984-07-24, 公开日期: 1984-07-24
作者:  NAGAI HARUO;  NOGUCHI YOSHIO;  TAKAHEI KENICHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18
Vapor growing method for rare earth element added iii-v compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1990020017A, 公开日期: 1990-01-23
作者:  NAKAGOME HIROSHI;  UEI KUNIHIKO;  TAKAHEI KENICHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26