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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2006 [1]
2004 [1]
2001 [1]
1999 [1]
学科主题
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共4条,第1-4条
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Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
专利
OAI收割
专利号: US7141444, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28
作者:
KOIKE, MASAYOSHI
;
TEZEN, YUTA
;
YAMASHITA, HIROSHI
;
NAGAI, SEIJI
;
HIRAMATSU, TOSHIO
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提交时间:2019/12/24
Group III nitride compound semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US6680957, 申请日期: 2004-01-20, 公开日期: 2004-01-20
作者:
KOIKE, MASAYOSHI
;
YAMASAKI, SHIRO
;
TEZEN, YUTA
;
NAGAI, SEIJI
;
KOJIMA, AKIRA
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提交时间:2020/01/18
Production method of iii nitride compound semiconductor substrate and semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: WO2001084608A1, 申请日期: 2001-11-08, 公开日期: 2001-11-08
作者:
KOIKE, MASAYOSHI
;
NAGAI, SEIJI
;
TEZEN, YUTA
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5933443, 申请日期: 1999-08-03, 公开日期: 1999-08-03
作者:
MUSHIAGE, MASATO
;
TEZEN, YUTA
;
MURAYAMA, MINORU
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提交时间:2020/01/13