机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 1997 [4]

学科主题

• 半导体物理 [2]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Properties of cubic GaN grown by MBE 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 215-221 Brandt O; Yang H; Mullhauser JR; Trampert A; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/17 cubic gallium arsenide film  molecular beam epitaxy  photoluminescence  transmission electron microscopy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAAS   Heteroepitaxy of cubic gan: influence of interface structure 期刊论文  iSwitch采集 Microscopy of semiconducting materials 1997, 1997, 期号: 157, 页码: 205-208 作者:  Trampert, A;  Brandt, O;  Yang, H;  Yang, B;  Ploog, KH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure 期刊论文  OAI收割 microscopy of semiconducting materials 1997, 1997, 卷号: 157, 期号: 0, 页码: 205-208 Trampert A; Brandt O; Yang H; Yang B; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN/GAAS(001)  GROWTH   Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure 会议论文  OAI收割 royal-microscopical-society conference on microscopy of semiconducting materials, oxford, england, apr 07-10, 1997 Trampert A; Brandt O; Yang H; Yang B; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN/GAAS(001)  GROWTH