中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [4]
紫金山天文台 [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [4]
期刊论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2004 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
J-GEM observations of an electromagnetic counterpart to the neutron star merger GW170817
期刊论文
OAI收割
PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN, 2017, 卷号: 69, 期号: 6, 页码: 7
作者:
Utsumi, Yousuke
;
Tanaka, Masaomi
;
Tominaga, Nozomu
;
Yoshida, Michitoshi
;
Barway, Sudhanshu
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2019/04/08
gravitational waves
nuclear reactions, nucleosynthesis, abundances
stars: neutron
Semiconductor device and optical pickup device
专利
OAI收割
专利号: US6810057, 申请日期: 2004-10-26, 公开日期: 2004-10-26
作者:
ITOH, KUNIO
;
UEMURA, NOBUYUKI
;
YURI, MASAAKI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/12/23
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US5923690, 申请日期: 1999-07-13, 公开日期: 1999-07-13
作者:
KUME, MASAHIRO
;
BAN, YUUZABUROU
;
ISHIBASHI, AKIHIKO
;
UEMURA, NOBUYUKI
;
TAKEISI, HIDEMI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser and production method thereof
专利
OAI收割
专利号: US5742629, 申请日期: 1998-04-21, 公开日期: 1998-04-21
作者:
NISHIKAWA, TAKASHI
;
UEMURA, NOBUYUKI
;
KAMIYAMA, SATOSHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5619520, 申请日期: 1997-04-08, 公开日期: 1997-04-08
作者:
SASAI, YOICHI
;
UEMURA, NOBUYUKI
;
KAMIYAMA, SATOSHI
;
KUBO, MINORU
;
NISHIKAWA, TAKASHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2020/01/18