机构

• 宁波材料技术与工程研... [4]
• 深圳先进技术研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2017 [2]
• 2012 [3]

学科主题

• 物理化学 [2]
• 材料科学 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Large-Grain Formamidinium PbI3-xBrx for High-Performance Perovskite Solar Cells via Intermediate Halide Exchange. 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ENERGY MATERIALS, 2017 作者:  Long, Mingzhu;  Zhang, Tiankai;  Xu, Wangying;  Zeng, Xiaoliang;  Xie, Fangyan   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/02/02 Fully solution-processed metal oxide thin-film transistors via a low temperature aqueous route 期刊论文  OAI收割 CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: 43, 期号: 8, 页码: 6130-6137 作者:  Liang, Lingyan;  Zhu, Deliang;  Xu, Jian-Bin;  Xu, Wangying;  Long, Mingzhu   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/12/25 Anomalous bias-stress-induced unstable　phenomena of InZnO thin-film transistors　using Ta2O5 gate dielectric 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 2012, 期号: 45, 页码: — 曹鸿涛; Wangying Xu, Mingzhi Dai, Lingyan Liang, Zhimin Liu, Xilian Sun, QingWan and Hongtao Cao 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/12/16 Anomalous bias-stress-induced unstable phenomena of InZnO thin-film transistors using Ta2O5 gate dielectric 期刊论文  OAI收割 J PHYS D APPL PHYS, 2012, 期号: 45, 页码: 205103-1—205103-5 Cao HT(曹鸿涛); Wangying Xu, Mingzhi Dai, Lingyan Liang, Zhimin Liu, Xilian Sun, QingWan and Hongtao Cao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/12/16 Polarization mechanism and quasi-electric-double-layer modeling for indium-tin-oxide electric-double-layer thin-film-transistors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 100, 页码: 113506-1—113506-3 Dai MZ(戴明志); Mingzhi Daia) and Wangying Xu 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/12/16