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Iii-nitride tunnel junction light emitting diode with wall plug efficiency of over seventy percent 专利  OAI收割
专利号: US20190165213A1, 申请日期: 2019-05-30, 公开日期: 2019-05-30
作者:  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.;  SPECK, JAMES S.;  DENBAARS, STEVEN P.;  NAKAMURA, SHUJI
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Contact architectures for tunnel junction devices 专利  OAI收割
专利号: WO2018035322A1, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2018-02-22
作者:  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.;  FORMAN, CHARLES;  LEONARD, JOHN T.;  LEE, SEUNGGEUN
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Iii-nitride light emitting diodes with tunnel junctions wafer bonded to a conductive oxide and having optically pumped layers 专利  OAI收割
专利号: WO2017136832A1, 申请日期: 2017-08-10, 公开日期: 2017-08-10
作者:  MUGHAL, ASAD J.;  KOWSZ, STACY J.;  FARRELL, ROBERT M.;  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.
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