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• 物理研究所 [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB2 (0001)/Si(111) by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 100, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  BUFFER LAYER  SUBSTRATE  ZRB2(0001)  SI(111)  SURFACE   Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via ZrB2 buffer layers 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2005, 卷号: 95, 期号: 26 Yamada-Takamura, Y; Wang, ZT; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Liu, PL; Chizmeshya, AVG; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/24 TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  LIGHT-EMITTING-DIODES  GROUP-III NITRIDES  WAVE BASIS-SET  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  GROWTH  ZRB2(0001)  POLARITY  SI   Atomistic study of GaN surface grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  INVERSION DOMAINS  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  HETEROEPITAXIAL GROWTH  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYER  POLARITY  RECONSTRUCTIONS  MORPHOLOGY