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• 苏州纳米技术与纳米仿... [5]

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• 期刊论文 [5]

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• 2018 [4]
• 2017 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2018 作者:  Fan, Yaming(范亚明);  Song, Liang(宋亮);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhao, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2019/03/27 Nonpolar vertical GaN-on-GaN p-n diodes grown on free-standing (10(1)over-bar0) m-plane GaN 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018 作者:  Fu, Houqiang;  Yang, Tsung-Han;  Xu, Ke(徐科);  Ponce, Fernando A.;  Zhang, Baoshun(张宝顺)   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/03/27 Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Ding, Xiaoyu;  Yu, Guohao;  Cheng, Kai;  Cai, Yong;  Zhang, Baoshun(张宝顺)   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/03/27 Solar-blind ultraviolet photodetector based on graphene/vertical Ga2O3 nanowire array heterojunction 期刊论文  OAI收割 NANOPHOTONICS, 2018 作者:  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhang, Xiaodong(张晓东);  Zhao, Yukun;  Fu, Kai(付凯);  Sun, Chi   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/03/27 AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东）   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/02/05