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采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [25]
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• 学位论文 [2]

发表日期

• 2023 [1]
• 2019 [1]
• 2018 [1]
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• 2012 [2]
• 2011 [2]
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学科主题

• 光学材料;晶体 [2]
• 红外探测材料与器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2023, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 977-984 作者:  章宇;  陈诺夫;  张芳;  余雯静;  胡文瑞   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2024/01/11 SiC  湿法腐蚀  贯穿型位错  位错密度  位错缺陷分布   钇掺杂锆酸钡中点/线缺陷结构及氧扩散机理的分子动力学模拟 期刊论文  OAI收割 中国科学:化学, 2019, 卷号: 49, 期号: 08, 页码: 1104-1113 作者:  李雪娇;  唐忠锋;  张莉   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/10/19 钇掺杂锆酸钡  分子动力学  缺陷  刃位错  扩散系数   应用正电子湮没谱学对Fe-1.0%Cu合金氢致缺陷的研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 20501 作者:  张怀强;  靳硕学;  于润升;  王宝义;  曹兴忠   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/09/24 氢致缺陷  正电子湮没谱学  空位团  位错  FeCu合金   高温He离子辐照引起的Hastelloy N合金微结构变化研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2013, 期号: 5, 页码: 46-52 刘敏; 陆燕玲; 周兴泰 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2014/06/13 Hastelloy N合金  表面气泡  氦气泡  TEM  “黑斑”缺陷  位错环   矿物晶体的缺陷 期刊论文  OAI收割 矿物岩石地球化学通报, 2012, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 160-164 陈丰; 李雄耀; 王世杰 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/06/18 矿物  晶体  缺陷  点缺陷  位错  石墨烯   Hastelloy N合金He离子辐照后的正电子湮没寿命谱研究 会议论文  OAI收割 2012 林建波; 何上明; 李爱国; 余笑寒; 曹兴忠; 王宝义; 李卓昕 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/11 Hastelloy N合金  辐照损伤  位错  缺陷  空位  正电子湮灭寿命   GaN材料的位错运动特性及缺陷发光特性研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者:  黄俊 收藏  |  浏览/下载：308/0  |  提交时间：2012/09/10 GaN 位错 缺陷 滑移 应力 发光   钛铝金属间化合物中位错相互作用的原子尺度模拟 会议论文  OAI收割 首届中国科学院超级计算应用大会(SCA2011), 2011 王皞; 徐东生; 杨锐等 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/01/09 钛铝  位错  位错偶  点缺陷  原子模拟   AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 期号: S1, 页码: 133-135 闫鹏飞; 隋曼龄 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2012/04/12 氮化镓  位错  带状缺陷  拉应力   AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 会议论文  OAI收割 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 广州, 2008-11-30 闫鹏飞; 隋曼龄 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/08/21 氮化镓异质结  化学气相沉积法  蓝宝石衬底  紫外光发光二极管  位错滑移  带状缺陷  发光性能