机构

• 微电子研究所 [2]
• 长春光学精密机械与物... [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 1998 [1]
• 1996 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 5，554-558 作者:  魏珂;  刘新宇;  和致经;  吴德馨   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan／gan  高迁移率晶体管  肖特基特性  击穿电压  场板结构   超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2007, 期号: 2 作者:  钟兴华;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/05/26 击穿  Si3n4/sio2（n/o）叠层  可靠性  应力诱生漏电流（silc)  Tddb特性   薄栅介质层击穿特性与质量评估 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所）  , 1998 林立谨 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2012/03/06 栅介质层  SiO<  1>  薄膜  击穿特性  薄栅氧化层   Bi系超导体制备工艺与其物性之间关系的研究 期刊论文  OAI收割 低温物理学报, 1996, 期号: 05, 页码: 395-400 孟庆云; 李秀海; 孟庆华 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/03/11 Bi系超导体:6242  制备工艺:5947  击穿电压:3908  高温超导体:1671  电击穿:1427  元素替代:1279  低温物理学:1130  伏安特性曲线:953  超导相:934  降温速率:927