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OAI收割 [31]
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期刊论文 [21]
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反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
黄文军
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2018/05/28
Inas/gasb二类超晶格
反转型量子阱结构
电子迁移率
异质结光电晶体管
双色
二维半导体合金及异质结的光电性质研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
王岩
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2017/06/05
二维半导体
二维半导体合金
范德瓦尔斯异质结
反双极性
窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李俊斌
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2016/05/30
InAs/GaSb异质结
背景载流子
双载流子霍尔模型
非平衡载流子寿命
时间分辨泵浦–探测反射率测量
光螺旋度依赖的光电流
锗锡材料特性以及相关光电子器件研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015
作者:
张东亮
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2015/06/01
锗锡
硅基光电子
探测器
近红外
双异质结激光器
锗锡
硅基光电子
探测器
近红外
双异质结激光器
双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管的研制
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2015, 期号: 04, 页码: 480-484
作者:
端鹏飞
;
胡永生
;
郭晓阳
;
刘星元
;
范翊
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2016/07/06
有机薄膜晶体管
双异质结
载流子迁移率
阈值电压
InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2012, 期号: 12, 页码: 572-577
周守利
;
杨万春
;
任宏亮
;
李伽
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/02/22
InAlAs/GaSbAs
InP/GaSbAs
Ⅱ型双异质结双极晶体管
含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
期刊论文
OAI收割
科学通报, 2011, 期号: 2
作者:
杨辉
;
董建荣
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/09/11
纳米阵列结构
InGaN/GaN双异质结
太阳能电池
外量子效率
CD-ROM/DVD马达驱动电路的设计与开发
期刊论文
OAI收割
微型电脑应用, 2010, 期号: 04
高勇进
;
张炜
;
张志红
;
郑长武
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浏览/下载:104/0
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提交时间:2012/01/06
双异质结双极晶体管
气态源分子束外延
砷化镓
共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 8, 页码: 4,759-762
作者:
王显泰
;
金智
;
程伟
;
申华军
;
苏永波
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/06/01
功率放大器磷化铟
双异质结双极型晶体管
负载牵引
纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2008, 期号: 03
孙萍
;
徐岭
;
赵伟明
;
李卫
;
徐骏
;
马忠元
;
吴良才
;
黄信凡
;
陈坤基
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/01/06
双异质结双极晶体管
气态源分子束外延
磷化铟
阶梯缓变集电区