机构

• 微电子研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2005 [1]
• 2003 [1]
• 1995 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 超薄Si3N4／SiO2（N／O）stack栅介质及器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 5，115-119 作者:  林钢;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/05/26 超薄si3n4／sio2（n／o）stack栅介质  栅隧穿漏电流  Silc特性  栅介质寿命 Cmos器件   体硅衬底上的CMOS FinFET 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 6,351-356 作者:  殷华湘;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/25 Finfet  凹槽  器件特性 Cmos  体硅  场效应器件   CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究 期刊论文  OAI收割 微细加工技术, 1995, 期号: 03 高剑侠; 严荣良; 任迪远; 竺士扬; 李金华; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 I－V温度特性  亚阈斜率  漂移  CMOS／BESOI器件