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采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 2006 [2]
• 2000 [2]

学科主题

• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 负电子亲和势AlN平面冷阴极发射特性研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015 作者:  侍铭   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2015/06/02 AlN  冷阴极  场致电子发射  硅掺杂  击穿  Aln  冷阴极  场致电子发射  硅掺杂  击穿   器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文) 期刊论文  OAI收割 光子学报, 2014, 期号: 10, 页码: 52-59 作者:  梁静秋 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/04/17 碳纳米管  冷阴极  悬浮球  场发射  接触电阻  电介质   前栅极冷阴极器件中单根纳米线表面电场分布研究 期刊论文  OAI收割 液晶与显示, 2006, 期号: 6 作者:  梁静秋 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/09/25 场发射  冷阴极器件  静电场理论  纳米线   电磁MEMS及其在生物医学工程中的应用 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2006, 期号: 01 王彬; 陈翔; 金庆辉; 赵建龙; 徐元森 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2012/01/06 碳纳米管  数码管  场发射冷阴极   多孔硅场致电子发射 期刊论文  OAI收割 液晶与显示, 2000, 期号: 04, 页码: 268-272 丁邦建; 王维彪 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/11 多孔硅  场发射  冷阴极   阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响 期刊论文  OAI收割 液晶与显示, 2000, 期号: 04, 页码: 273-277 丁邦建; 王维彪 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/03/11 阳极氧化  场发射  多孔硅冷阴极