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	单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管期刊论文 OAI收割半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 4,1424_1427 作者: 徐静波; 张海英; 尹军舰; 刘亮; 李潇 \| 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2010/05/26 单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压
	一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器期刊论文 OAI收割半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2080-2084 作者: 朱曼; 黄华; 张海英; 杨浩; 尹军舰 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2010/05/26 低噪声放大器增强型赝配高电子迁移率晶体管微波单片集成电路
	GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs 期刊论文 OAI收割半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 5，2281-2285 作者: 尹军舰; 张海英; 李海鸥; 叶甜春 \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2010/05/26 赝配高电子迁移率晶体管增强型耗尽型阈值电压 Gaas