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电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响
期刊论文
OAI收割
原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372
作者:
姬庆刚
;
刘杰
;
李东青
;
刘天奇
;
叶兵
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/11/18
单粒子翻转
总剂量效应
协同效应
静态随机存储器
辐照离子注量率对单粒子效应影响研究 及微通道板离子探测器研制
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018
作者:
罗捷
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/12/28
单粒子效应
注量率
微通道板
离子注量探测器
静态随机存储器
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
王汉宁
;
周航
;
余徳昭
;
魏莹
;
苏丹丹
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/06/02
总剂量辐射效应
超深亚微米
金属氧化物半导体场效应晶体管
静态随机存储器
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014
作者:
张兴尧
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/08/05
新型非易失存储器
传统非易失存储器
总剂量效应
辐射敏感参数
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 1, 页码: 387-392
作者:
肖尧
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2014/11/11
累积剂量
单粒子效应
静态随机存储器
反印记效应
承压含水层井孔储存效应对气压波动引起的井孔水位波动的影响
期刊论文
OAI收割
水文地质工程地质, 2013, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1-6
作者:
李海龙
;
宋金颖
;
万力
;
柳富田
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2013/08/12
气压效应
地下水微动态
井的存储效应
井孔水位波动
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
作者:
卢健
;
余学峰
;
郑齐文
;
崔江维
;
胥佳灵
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/11/06
静态随机存储器
总剂量效应
阈值电压
部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 323-329
作者:
李明
;
余学峰
;
薛耀国
;
卢健
;
崔江维
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/11/29
部分耗尽绝缘层附着硅
静态随机存储器
总剂量效应
功耗电流
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应
期刊论文
OAI收割
核技术, 2012, 期号: 8, 页码: 601-605
作者:
卢健
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/11/29
静态随机存储器
总剂量效应
不同偏置条件
辐射损伤
印记现象