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采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 学位论文 [3]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [1]
• 2004 [2]
• 2002 [1]
• 2001 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 隋妍萍   收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2012/03/06 GaN  射频等离子体分子束外延  III/V比  Mg掺杂  光致发光     分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2004, 期号: 04, 页码: 460-462 作者:  申德振;  张振中 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/03/11 氧化锌薄膜  p型掺杂  一氧化氮  射频等离子体  分子束外延   用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2004, 期号: 02, 页码: 147-150 作者:  申德振;  李炳辉;  赵东旭 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/03/11 氧化锌单晶薄膜  射频等离子体  分子束外延  蓝宝石衬底   GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2002 赵智彪   收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/06 GaN  AIGaN/GaN  射频等离子分子束外延  缓冲层  欧姆接触     Ⅲ-N材料的RF Plasma MBE生长及物理研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2001 李伟 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2012/03/06 GaN  射频等离子体分子束外延  掺杂  极化效应  调制掺杂