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电子学研究所 [2]
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上海微系统与信息技术... [2]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2008 [4]
2004 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2011, 期号: 01
孙浩
;
齐鸣
;
艾立鹍
;
徐安怀
;
滕腾
;
朱福英
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/04/13
镓砷锑
湿法腐蚀
磷化铟
双异质结晶体管
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 4,414-417
作者:
程伟
;
金智
;
刘新宇
;
于进勇
;
徐安怀
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/05/27
Inp
异质结晶体管
聚酰亚胺 平坦化
SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 06
杨志峰
;
陈静
;
孙佳胤
;
武爱民
;
王曦
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2012/01/06
InP
异质结晶体管
聚酰亚胺
平坦化
一种12位125MS/s的SiGe BiCMOS采样保持放大器
期刊论文
OAI收割
电路与系统学报, 2008, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 55-58
潘杰
;
杨海钢
;
杨银堂
;
朱樟明
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/05/19
锗硅
异质结晶体管
增益倍增技术
跨导运算放大器
采样保持放大器
一种12位125MS/s的SiGe BiCMOS采样保持放大器
期刊论文
OAI收割
电路与系统学报, 2008, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 55-58
潘杰
;
杨海钢
;
杨银堂
;
朱樟明
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/05/19
锗硅
异质结晶体管
增益倍增技术
跨导运算放大器
采样保持放大器
低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 908-912
作者:
刘新宇
;
郑丽萍
;
孙海锋
;
狄浩成
;
樊宇伟
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提交时间:2010/05/26
自对准
Ingap
功率双异质结晶体管
低偏置电压