机构

• 微电子研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96 胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2013/02/22 总剂量效应  浅沟槽隔离  氧化层陷阱正电荷  金属氧化物半导体场效晶体管   部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 4，65-68 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/06/01 绝缘体上硅  总剂量效  最坏偏置  部分耗尽  辐照