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浏览/检索结果: 共54条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019 作者:  姬庆刚   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/11/21 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/03/19 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26 作者:  唐兆云;  闫江;  唐波;  贾宬;  王大海   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/03/22 一种FINFET结构及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410573220.3, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-05-18 作者:  刘云飞;  尹海洲   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/03/22 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310143802.3, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-10-29 作者:  朱慧珑;  贾宬;  殷华湘   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/03/14 浅沟槽隔离制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210297229.7, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-03-12 作者:  王桂磊;  杨涛   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/03/19 一种FinFET及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310479356.3, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2015-04-29 作者:  尹海洲;  刘云飞   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/03/14 浅沟槽隔离及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210307008.3, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2014-03-12 作者:  罗军;  钟汇才;  梁擎擎;  赵超   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/06/13