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高焓空气等离子体放电若干关键问题研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:  韩宁
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毕业论文 基于光子晶体慢光效应的光放大和激光器件研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2014, 2014
作者:  齐爱谊
  |  收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2014/06/11
ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究 期刊论文  OAI收割
红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 8
作者:  程吉凤;  朱耀明;  唐恒敬;  李雪;  邵秀梅
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/11/05
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
基于TNT敏感聚合物的纳米阵列结构的制备与性质 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2009, 期号: 02
陈磊; 朱德峰; 程建功; 赵建龙
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/01/06
高密度深刻蚀石英光栅分束器的研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2008
作者:  王博
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2016/11/28
感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2008, 卷号: 057
作者:  刘峰;  孟月东;  任兆杏;  舒兴胜
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/10/26
AMC7820在微流控芯片电泳系统中的应用 期刊论文  OAI收割
现代科学仪器, 2006, 期号: 02
朱海兵; 金庆辉; 张华; 刘菁; 庄贵生
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/01/06
GaN的刻蚀、P型欧姆接触以及LED的研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006
刘北平  
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2012/03/06
深刻蚀高密度熔融石英光栅 期刊论文  OAI收割
中国激光, 2006, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 175, 178
王顺权; 周常河; 茹华一; 张妍妍
收藏  |  浏览/下载：1193/198  |  提交时间：2009/09/18