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红外探测材料与器件 [2]
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半导体物理 [1]
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共18条,第1-10条
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小型减压感应耦合空气等离子体特性研究
会议论文
OAI收割
中国四川成都, 2024-07-25
作者:
张晖
;
韩宁
;
张奇志
;
孟显
;
曹进文
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提交时间:2025/05/08
空气等离子体
电子温度
热流密度
电子激发温度
感应耦合
特性研究
高焓空气等离子体放电若干关键问题研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:
韩宁
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提交时间:2022/11/21
高焓空气等离子体
感应耦合等离子体发生器
稳定放电
稀薄流场密度估算
石墨保型烧蚀
毕业论文 基于光子晶体慢光效应的光放大和激光器件研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2014, 2014
作者:
齐爱谊
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浏览/下载:117/0
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提交时间:2014/06/11
光子晶体
慢光效应
LiNbO3
感应耦合等离子体刻蚀
半导体光放大器
带边模
面发射激光器
光子晶体
慢光效应
Linbo3
感应耦合等离子体刻蚀
半导体光放大器
带边模
面发射激光器
ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 8
作者:
程吉凤
;
朱耀明
;
唐恒敬
;
李雪
;
邵秀梅
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提交时间:2014/11/05
感应耦合等离子体
铟镓砷
Raman光谱
Xrd
刻蚀损伤
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
基于TNT敏感聚合物的纳米阵列结构的制备与性质
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2009, 期号: 02
陈磊
;
朱德峰
;
程建功
;
赵建龙
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提交时间:2012/01/06
应变补偿多量子阱
超辐射发光管
台面
湿法腐蚀
感应耦合等离子体
高密度深刻蚀石英光栅分束器的研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2008
作者:
王博
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提交时间:2016/11/28
微光学
全息
感应耦合等离子体
熔融石英
偏振分束光栅
分束器
感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2008, 卷号: 057
作者:
刘峰
;
孟月东
;
任兆杏
;
舒兴胜
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提交时间:2020/10/26
感应耦合等离子体
磁控溅射
ZrN薄膜
微结构
性能
AMC7820在微流控芯片电泳系统中的应用
期刊论文
OAI收割
现代科学仪器, 2006, 期号: 02
朱海兵
;
金庆辉
;
张华
;
刘菁
;
庄贵生
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提交时间:2012/01/06
干法刻蚀
感应耦合等离子体
GaN
刻蚀速率
Cl_2/He
Cl_2/Ar
GaN的刻蚀、P型欧姆接触以及LED的研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006
刘北平
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提交时间:2012/03/06
氮化镓
发光二极管
干法刻蚀
感应耦合等离子体
P型欧姆接触