中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
上海微系统与信息技术... [2]
合肥物质科学研究院 [2]
新疆理化技术研究所 [1]
近代物理研究所 [1]
兰州化学物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [4]
学位论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2021 [1]
2018 [1]
2017 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [1]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
几种聚合物的伽马辐照润滑失效机理及其抗辐照结构设计研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2021
作者:
柴利强
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2023/09/27
γ辐照,聚合物润滑材料,摩擦磨损,辐照损伤,抗辐照设计
核聚变第一壁用W—ZrC材料研究进展与展望
期刊论文
OAI收割
中国材料进展, 2018, 卷号: 037
作者:
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2020/10/26
核聚变第一壁材料
W-ZrC
力学性能
抗辐照性能
抗高热负荷性能
展望
铁和钨中晶界对材料辐照损伤影响的理论模拟
期刊论文
OAI收割
深圳大学学报:理工版, 2017, 卷号: 034
作者:
赵哲
;
李永钢
;
张传国
;
曾雉
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2020/10/26
等离子体物理
纳米晶材料
辐照损伤
稳态
抗辐照能力
分子动力学
晶界
屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤
期刊论文
OAI收割
核电子学与探测技术, 2009, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 398-401
作者:
文林
;
郭旗
;
张军
;
任迪远
;
孙静
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/11/29
抗辐射屏蔽材料
CMOS
电子辐照
静态功耗电流
注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响
会议论文
OAI收割
第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007
武爱民
;
陈静
;
张恩霞
;
杨慧
;
张正选
;
王曦
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2012/01/18
SOI材料 注硅工艺 智能剥离 硅离子注入 纳米晶 改性处理 抗辐照性能
强流加速器材料研究
期刊论文
OAI收割
原子核物理评论, 2006, 卷号: 2006, 期号: 02, 页码: 146-150
肖国青
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/10/29
强流加速器
聚变堆材料
抗辐照材料
重离子
SOI的电学性能测试以及低功耗SOI DRAM的设计研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2002
黎传礼
收藏
  |  
浏览/下载:101/0
  |  
提交时间:2012/03/06
电学性能:6794
低功耗:4331
设计研究:4272
SOI材料:3668
SOI技术:1176
体硅电路:797
抗辐照:730
耐高温:534
模拟仿真:511
外围电路:500