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二维褶皱状V2O5纳米材料的制备和储锂性能 期刊论文 OAI收割
材料研究学报, 2017, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 374-380
作者: 李延伟; 谢志平; 刘参政; 姚金环; 姜吉琼

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材料合成与加工工艺 V2O5 溶胶凝胶法正极材料储锂性能 synthesizing and processing technics,V2O5, sol-gel method, cathode material, lithium storage performance

放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响 期刊论文 OAI收割
材料研究学报, 2013, 期号: 3, 页码: 307-311
程华; 钱永产; 薛军; 吴爱民; 石南林

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材料合成与加工工艺微晶硅薄膜 ECR-PECVD 放电气体

重型燃气轮机定向结晶叶片的材料与制造工艺 期刊论文 OAI收割
中国材料进展, 2013, 期号: 1, 页码: 12-23+38
张健; 楼琅洪; 李辉

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重型燃气轮机定向结晶叶片材料与工艺

污泥处理与处置工程的除臭工艺和材料 期刊论文 OAI收割
中国给水排水, 2012, 卷号: 28, 期号: 23, 页码: 145
作者: 杨淇微; 高定; 郑国砥; 陈同斌; 刘洪涛

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污泥处理与处置好氧发酵除臭工艺除臭材料

采用BNi-7的Ti(C,N)基金属陶瓷与17-4PH沉淀硬化不锈钢的真空钎焊研究 期刊论文 OAI收割
材料研究学报, 2011, 期号: 6, 页码: 573-578
王风振; 王全兆; 于宝海; 肖伯律; 马宗义

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材料合成与加工工艺 Ti(C 真空钎焊 N)基金属陶瓷镍基钎料抗剪强度界面结构

基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响 期刊论文 OAI收割
材料研究学报, 2011, 期号: 4, 页码: 408-412
程华; 王萍; 崔岩; 吴爱民; 石南林

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材料合成与加工工艺微晶硅薄膜 ECR PECVD 吸收系数光学带隙

采用BNi-7的Ti（C，N）基金属陶瓷与17-4PH沉淀硬化不锈钢的真空钎焊研究 期刊论文 OAI收割
材料研究学报, 2011, 卷号: 25.0, 期号: 006, 页码: 573-578
作者: 王风振; 王全兆; 于宝海; 肖伯律; 马宗义

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材料合成与加工工艺真空钎焊镍基钎料 Ti（C，N）基金属陶瓷抗剪强度界面结构

脉冲周期和糖精添加剂对电沉积Ni镀层微观结构的影响 期刊论文 OAI收割
材料研究学报, 2010, 期号: 5, 页码: 501-507
郑良福; 彭晓; 王福会

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材料合成与加工工艺脉冲电沉积脉冲周期糖精织构微观结构纳米晶Ni

用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜 期刊论文 OAI收割
材料研究学报, 2010, 期号: 5, 页码: 547-549
程华; 张昕; 张广城; 刘汝宏; 吴爱民; 石南林

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材料合成与加工工艺微晶硅薄膜 Ar稀释SiH_4 ECR-PECVD 微波功率

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。