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采集方式

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内容类型

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发表日期

• 2021 [1]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共64条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 增强型氮化镓功率器件的总剂量效应 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2021, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 444-448 作者:  陈思远1,2,3;  于新1,2;  陆妩1,2;  王信1,2;  李小龙1,2   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2021/11/10 氮化镓功率器件  总剂量效应  低剂量率损伤增强效应   不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  陈思远   |  收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2020/11/19 氮化镓  辐射效应  单粒子  总剂量  可靠性   第三代半导体材料发展态势分析 专著  OAI收割 北京:电子工业出版社, 2020 作者:  王丽;  沈湘;  于杰平;  金瑛;  滕飞   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/11/04 第三代半导体  碳化硅  氮化镓   AlGaN/GaNHEMT生化传感器的设计、制备及性能检测 学位论文  OAI收割 : 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018 作者:  丁祥桢   |  收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2019/03/28 氮化镓,高电子迁移率晶体管,生化传感器,延伸栅,分子膜栅   V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者:  付英昊   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/09/23 氮化镓  金属有机物气相沉积  V形坑缺陷   GaN基HEMT生物传感器的制备与性能研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 占香蜜 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  高电子迁移率晶体管  生物传感器  DNA杂交  癌胚抗原（CEA）检测   含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 李巍 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌   (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 闫俊达 收藏  |  浏览/下载：531/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管   基于二维缓冲层的非晶衬底Al(Ga)N薄膜生长研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 李杨 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2017/06/05 Ⅲ族氮化物  氮化铝  氮化镓  二维材料  石墨烯  二维过渡金属硫化物   大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2016, 期号: 11, 页码: 1305-1309 作者:  张进成;  王新强;  黎大兵;  刘斌;  孙钱   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/09/17 氮化镓  大失配  强极化  生长动力学  载流子调控