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采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 1992 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 空间低温辐射计中的精密电压测量系统 期刊论文  OAI收割 光学精密工程, 2015, 期号: 07, 页码: 1903-1910 作者:  宋宝奇;  叶新;  杨东军;  姜明;  方伟 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/07/06 低温辐射计  锗电阻  电压测量  超低噪基准源  24位模数转换器   深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 22, 页码: 262-269 作者:  王信;  陆妩;  吴雪;  马武英;  崔江维   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/10/13 总剂量效应  N沟道金属氧化物场效应晶体管  寄生双极晶体管  Bandgap基准电压源   采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 192-196 刘珂; 杨海钢; 尹韬 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/19 带隙基准源  电压基准源  电源抑制比  温度补偿   0．6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1508-1513 作者:  王晗;  叶青   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/26 基准源  超低电压  自偏置  稳定性  环路增益  返回比   一种1．8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 697-700 作者:  金湘亮;  计峰;  陈杰;  马建斌   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 带隙基准电压源  Cmos工艺  宽温度范围  电源抑制比  电路版图  传感器芯片  输出电压  温度系数   北京正负电子对撞机电磁Wiggler专用计算机控制系统 期刊论文  OAI收割 北方工业大学学报, 1992, 期号: 1, 页码: 27-33 作者:  陈绍兴;  王功利;  陈仁怀 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/14 正负电子对撞机  电源数控系统  电压基准源  电源稳定度