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加速器电源电流突变补偿技术的研究 期刊论文  OAI收割
核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 03, 页码: 37-41
作者:  黄山;  谭松清;  李瑞
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/30
基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征 学位论文  OAI收割
硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  荣梓清
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2016/04/27
由于给体片段（D）和受体片段（A）间的电荷转移  D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙  且分子偶极矩较大  分子间相互作用较强  利于获得高的载流子迁移率  因此  D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面  稠环分子由于具有刚性平面的构型  重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此  本文以二噻吩并[2  3-b:7  6-b]咔唑（C1）和二噻吩并[3  2-b:6  7-b]咔唑（C2）两个稠环单元作为给体片段  苯并噻二唑（BT）单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物  并且对它们的光物理性质  电化学性质  载流子传输和光伏特性进行了系统研究  主要成果和创新点如下： （1）合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2)  它们均是无定形聚合物。 尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别  但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。 通过理论模拟可以发现  两个聚合物骨架构象完全不同  P(BT-C1)的骨架较为弯曲  而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此  基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管（OTFT）的迁移率较高  达到5.4×10-3 cm2V-1s-1  而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低  为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右  因此  基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池（OSC）器件的开路电压（Voc）明显高于P(BT-C1)  而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显  导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度（Jsc）和填充因子（FF）较高  两个聚合物的能量转换效率（PCE）相差不多  均在5%左右。 （2）以C2为给体单元  BT和二氟代BT为受体单元  合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比  P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性  HOMO能级升高  光谱红移。在BT单元上引入F原子后  聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV  同时帯隙变窄。 理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善  但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显  基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低  PCE均小于2%。  
硫属铋系纳米结构材料合成及光电性质 学位论文  OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015
作者:  李仁雄
  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2015/05/11
地球环电流演化数值模拟 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院, 2014
纪勇
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2014/09/17
Mn元素对储氢合金(La_(0.78)Mg_(0.22))(Ni_((0.9-x))Co_(0.1)Mn_x)_(3.5)的结构及电化学性能的影响 期刊论文  OAI收割
上海金属, 2010, 期号: 02
张灏; 汪保国; 王丹; 眭艳辉; 何丹农; 夏保佳
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/06
EAST装置离子回旋加热天线电流带热结构分析 期刊论文  OAI收割
核聚变与等离子体物理, 2010, 卷号: 030
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  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/10/26
低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源 期刊论文  OAI收割
半导体技术, 2009, 期号: 21
作者:  张耀辉
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/01/15
1．2GHz CMOS全集成锁相环的设计 期刊论文  OAI收割
电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 314-317
作者:  赵坤;  叶甜春;  满家汉;  叶青
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26
Bi2223／Ag带HTS双饼磁体实验 期刊论文  OAI收割
低温物理学报, 2005, 卷号: 027
作者:  陈敬林;  陈治友;  许爱霞;  王福堂;  李洪强
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/25
InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究 期刊论文  OAI收割
半导体光电, 2004, 期号: 05
郝国强; 张永刚; 刘天东; 李爱珍
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06