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上海微系统与信息技术... [7]
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采集方式
OAI收割 [17]
内容类型
期刊论文 [13]
成果 [2]
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学位论文 [1]
发表日期
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学科主题
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共17条,第1-10条
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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者:
周书星1
;
方仁凤1
;
魏彦锋1
;
陈传亮1
;
曹文彧1
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提交时间:2022/02/18
磷化铟高电子迁移率晶体管
二维电子气
电子束辐照
辐射加固
用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2011, 期号: 01
孙浩
;
齐鸣
;
艾立鹍
;
徐安怀
;
滕腾
;
朱福英
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提交时间:2012/04/13
镓砷锑
湿法腐蚀
磷化铟
双异质结晶体管
共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 8, 页码: 4,759-762
作者:
王显泰
;
金智
;
程伟
;
申华军
;
苏永波
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提交时间:2010/06/01
功率放大器磷化铟
双异质结双极型晶体管
负载牵引
提高锂离子电池储存性能的新方法
期刊论文
OAI收割
华南师范大学学报(自然科学版), 2009, 期号: S1
张熙贵
;
李佳
;
谢晓华
;
张建
;
夏保佳
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提交时间:2012/01/06
磷化铟基共振隧穿二极管
电流-电压特性
非平衡格林函数法
散射
一种基于微流控芯片技术的流式细胞计数系统
期刊论文
OAI收割
传感器与微系统, 2009, 期号: 10
刘守坤
;
苏显中
;
金庆辉
;
景奉香
;
赵建龙
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提交时间:2012/01/06
自对准发射极
磷化铟
单异质结双极晶体管
T型发射极
U型发射极图形
纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2008, 期号: 03
孙萍
;
徐岭
;
赵伟明
;
李卫
;
徐骏
;
马忠元
;
吴良才
;
黄信凡
;
陈坤基
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提交时间:2012/01/06
双异质结双极晶体管
气态源分子束外延
磷化铟
阶梯缓变集电区
航天遥感用InGaAs台面探测器的钝化研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
韩冰
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提交时间:2012/08/14
铟镓砷
磷化铟
氮化硅
短波探测器
硫化
表面态
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1970-1973
作者:
刘亮
;
尹军舰
;
李潇
;
张海英
;
李海鸥
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提交时间:2010/05/26
磷化铟
高电子迁移率晶体管
欧姆接触
合金
传输线模型
162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1732-1736
作者:
徐安怀
;
于进勇
;
刘新宇
;
严北平
;
苏树兵
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提交时间:2010/05/26
磷化铟
异质结双极型晶体管
自对准
MBE生长的InP DHBT的性能
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 792-795
作者:
于进勇
;
刘新宇
;
王润梅
;
刘训春
;
苏树兵
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提交时间:2010/05/26
Mbe
Be掺杂ingaas基区
磷化铟
双异质结双极晶体管