机构

• 微电子研究所 [3]
• 上海微系统与信息技术... [3]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2008 [2]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 罗杰馨 收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2013/04/24 绝缘体上的硅  部分耗尽  浮体效应  记忆效应  隧道二极管   PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1 作者:  毕津顺;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/05/27 部分耗尽绝缘体上硅  环形栅 浮体效应  体源连接   新型部分耗尽SOI器件体接触结构 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 4，968-971 作者:  宋文斌;  毕津顺;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅 浮体效应  体接触  寄生电容  体电阻   PDSOI体源连接环形栅nMOS特 性研究 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,12_15 作者:  海潮和;  毕津顺   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽绝缘体上硅  环形栅  浮体效应  体源连接   新结构SOI材料与器件物理研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2005 朱鸣   收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘体上的硅(SOI)  自加热效应  浮体效应  等离子体浸没式离子注入     压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 期号: 06 郭方敏; 朱自强; 赖宗声; 朱守正; 朱荣锦; 忻佩胜; 范忠; 贾铭; 程知群; 杨根庆 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/01/06 场效应器件  绝缘体上硅(SOI)  局域注氧  浮体效应  自热效应