机构

• 微电子研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 4，1823-1826 作者:  黎明;  张海英;  徐静波;  付晓君   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/05/27 增强/耗尽型phemt  逻辑控制电  单刀双掷开关  （spdt)  反相器   单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 4,1424_1427 作者:  徐静波;  张海英;  尹军舰;  刘亮;  李潇   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/05/26 单片集成  增强型  耗尽型  赝配高电子迁移率晶体管  阈值电压   GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 5，2281-2285 作者:  尹军舰;  张海英;  李海鸥;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/26 赝配高电子迁移率晶体管  增强型  耗尽型  阈值电压  Gaas