机构

• 新疆理化技术研究所 [1]
• 微电子研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]
• 上海技术物理研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2022 [1]
• 2013 [1]
• 2008 [1]
• 2003 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• 红外基础研究 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774 作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3   |  收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2022/05/06 碳化硅  总剂量效应  静态参数  动态特性  耗尽层   PbS量子点的化学制备及其太阳能光伏特性 期刊论文  OAI收割 红外毫米波学报, 2013, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  葛美英;  刘玉峰;  罗海瀚;  黄婵燕;  孙艳   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/11/10 Pbs  量子点  耗尽层异质结太阳能电池   考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2270-2274 作者:  葛霁;  金智;  刘新宇;  程伟;  王显泰   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/27 载流子速度  耗尽层宽度  集电区渡越时间  Vbic模型   硅微条探测器 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 2003, 期号: 1, 页码: 4--18 作者:  孟祥承 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2015/12/15 硅微条探测器  p-n结  耗尽层  死层  像素探测器  硅片探测器  电荷耦合探测器  硅漂移室   厚耗尽层面垒探测器及其应用 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 1999, 期号: 06 谭继廉; 王小兵; 许金兰; 王柱生; 王红斌; 郑志坚   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/09/23 厚耗尽层  全耗尽  探测器  硬x射线  辐射场