机构

• 微电子研究所 [4]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [2]
• 2004 [2]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 一种基于微流控芯片技术的流式细胞计数系统 期刊论文  OAI收割 传感器与微系统, 2009, 期号: 10 刘守坤; 苏显中; 金庆辉; 景奉香; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06 自对准发射极  磷化铟  单异质结双极晶体管  T型发射极  U型发射极图形   三指发射极InGaP／GaAs HBT的研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1604-1607 作者:  朱旻;  刘训春;  王润梅;  申华军;  杨威   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/26 异质结双极型晶体管  三指发射极  自对准   采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 434-437 作者:  齐鸣;  王润梅;  于进勇;  刘新宇;  苏树兵   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 自对准发射极   减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 991-994 作者:  罗明雄;  汪宁;  袁志鹏;  刘训春;  孙海峰   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26 自对准工艺  减小发射极宽度  提高ingap／gaas  Hbt的性能   高性能新结构InGaP／GaAs异质结双极型晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 756-761 作者:  孙海锋;  白大夫;  刘训春;  王润梅;  袁志鹏   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/05/26 异质结双极型晶体管  U形发射极  自对准发射极  热处理能力  Pacc  7340j  Eeacc  2560f  2550e  2550r