机构

• 微电子研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 1980 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 MOSFET迁移率增强技术 期刊论文  OAI收割 微 电 子 学, 2007, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 6,61_66 作者:  胡爱斌;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/05/26 Mos f e t  载流子迁移率  衬底诱生应力  工艺诱生应力  衬底晶向   在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe 期刊论文  OAI收割 红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 29-24 作者:  傅祥良   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2011/11/14 分子束外延  Si衬底  Ge衬底  Cdte  Hgcdte  晶向  晶格失配   GaAs气相掺杂外延的研究 期刊论文  OAI收割 金属学报, 1980, 期号: 03 彭瑞伍; 孙裳珠; 沈松华 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/19 生长速率:6588  表面形貌:5167  电子迁移率:3596  晶向:2241  衬底温度:1561  掺杂方法:1412  实验点:1391  文献:1376  杂质分布:1373  击穿电压:1332