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新疆理化技术研究所 [1]
过程工程研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2011 [1]
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共2条,第1-2条
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质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者:
马腾
;
崔江维
;
郑齐文
;
魏莹
;
赵京昊
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提交时间:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流
栅氧经时击穿
可靠性
质子辐照
部分耗尽soi
双极膜电渗析质子渗漏相关因素的分析
期刊论文
OAI收割
膜科学与技术, 2011, 期号: 06, 页码: 64-68
焦扬
;
杨鹏波
;
丛威
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2014/08/27
双极膜
双极膜电渗析
电流密度
质子泄漏