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质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文  OAI收割
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者:  
马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊
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双极膜电渗析质子渗漏相关因素的分析 期刊论文  OAI收割
膜科学与技术, 2011, 期号: 06, 页码: 64-68
焦扬; 杨鹏波; 丛威
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2014/08/27