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	电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响期刊论文 OAI收割物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398 作者: 刘远; 陈海波; 何玉娟; 王信; 岳龙收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2015/06/26 绝缘体上硅部分耗尽电离辐射低频噪声
	0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012 罗杰馨收藏 \| 浏览/下载：126/0 \| 提交时间：2013/04/24 绝缘体上的硅部分耗尽浮体效应记忆效应隧道二极管
	部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置期刊论文 OAI收割半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 4，65-68 作者: 刘梦新; 卜建辉; 胡爱斌; 韩郑生 \| 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2010/06/01 绝缘体上硅总剂量效最坏偏置部分耗尽辐照
	PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究期刊论文 OAI收割固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1 作者: 毕津顺; 海潮和 \| 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2010/05/27 部分耗尽绝缘体上硅环形栅浮体效应体源连接
	PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究期刊论文 OAI收割固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,12_15 作者: 海潮和; 毕津顺 \| 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2010/05/26 部分耗尽绝缘体上硅环形栅浮体效应体源连接
	PDSOInMOSFETs关态击穿特性期刊论文 OAI收割半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 5,14_18 作者: 毕津顺; 海潮和 \| 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2010/05/26 部分耗尽绝缘体上硅击穿背栅沟道注入
	0．8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究期刊论文 OAI收割半导体技术, 2007, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 4,490_493 作者: 海潮和; 毕津顺 \| 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2010/05/26 部分耗尽绝缘体上硅 Cmos器件环振电路