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V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文  OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  
付英昊
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2019/09/23
GaN生长均匀性结合化学反应动力学研究 会议论文  OAI收割
2015年中国工程热物理学会燃烧学学术年会, 2015
作者:  
郑江;  蒋志敏;  方海生
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2015/12/31
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 01, 页码: 82-87
作者:  
宋航;  李志明;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2013/03/11
低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文) 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2005, 期号: 4, 页码: 645-650
作者:  
沈晓明;  王玉田;  王建峰;  刘建平;  张纪才
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2015/12/25