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	电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响期刊论文 OAI收割原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372 作者: 姬庆刚; 刘杰; 李东青; 刘天奇; 叶兵 \| 收藏 \|
	辐照离子注量率对单粒子效应影响研究及微通道板离子探测器研制学位论文 OAI收割北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018 作者: 罗捷 \| 收藏 \|
	超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应期刊论文 OAI收割物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263 作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹 \| 收藏 \|
	静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究学位论文 OAI收割中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 郑齐文 \| 收藏 \|
	基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究学位论文 OAI收割工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘丽收藏 \|
	基于脉冲激光定位的SRAM单粒子闩锁事件率预估期刊论文 OAI收割北京航空航天大学学报, 2015, 卷号: 41, 期号: 4, 页码: 609-615 作者: 余永涛; 韩建伟; 封国强; 蔡明辉收藏 \|
	累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究期刊论文 OAI收割物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 1, 页码: 387-392 作者: 肖尧; 郭红霞; 张凤祁收藏 \|
	总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究期刊论文 OAI收割物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384 作者: 郑齐文; 余学峰; 崔江维; 郭旗; 任迪远 \| 收藏 \|
	不同规模SRAM辐射损伤效应的研究期刊论文 OAI收割微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430 作者: 卢健; 余学峰; 郑齐文; 崔江维; 胥佳灵 \| 收藏 \|