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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者:
周书星1
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提交时间:2022/02/18
磷化铟高电子迁移率晶体管
二维电子气
电子束辐照
辐射加固
用于急性心肌梗死标志物检测的GaAs HEMT 生物传感器的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
罗佳明
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2018/05/23
砷化镓高电子迁移率晶体管
生物传感器
心肌肌钙蛋白
微小核糖核酸
AlGaN/GaNHEMT生化传感器的设计、制备及性能检测
学位论文
OAI收割
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者:
丁祥桢
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2019/03/28
氮化镓,高电子迁移率晶体管,生化传感器,延伸栅,分子膜栅
GaN基HEMT生物传感器的制备与性能研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
占香蜜
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提交时间:2017/06/05
氮化镓
高电子迁移率晶体管
生物传感器
DNA杂交
癌胚抗原(CEA)检测
含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李巍
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/06/05
氮化镓
铟铝氮
高电子迁移率晶体管
二维电子气
电流崩塌
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
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浏览/下载:538/0
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提交时间:2017/06/05
氮化镓
异质结构
二维空穴气
二维电子气
高电子迁移率晶体管
常关型GaN HEMT器件制备研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2016/06/06
AlGaN/GaN
高电子迁移率晶体管
常关型
选区二次外延
具有背势垒的GaN基HEMT研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
彭恩超
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2014/06/05
氮化镓
异质结
高电子迁移率晶体管
二维电子气
背势垒
高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作
期刊论文
OAI收割
微纳电子技术, 2012, 卷号: 49, 期号: 7
作者:
李加东
;
吴东岷*
;
吴东岷*
;
吴东岷*
;
李加东
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2013/01/25
高电子迁移率晶体管(HEMT)
生物传感器
生物分子膜门电极
灵敏度
山羊免疫球蛋白
室温高灵敏度场效应自混频太赫兹波检测器
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
孙建东
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提交时间:2012/09/11
太赫兹检测器 自混频 高电子迁移率晶体管 太赫兹天线 二维电