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机构
上海微系统与信息技术... [2]
金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2006 [1]
2002 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究
期刊论文
OAI收割
传感器与微系统, 2010, 期号: 10
张圣
;
焦继伟
;
葛道晗
;
顾佳晔
;
严培力
;
张颖
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提交时间:2012/01/06
高K栅介质
HfO_2
Hf基高K栅介质材料
MOSFET器件
HfO2/Si(001)界面层的TEM研究
会议论文
OAI收割
2006年全国电子显微学会议, 沈阳, 2006-08-26
卓木金
;
马秀良
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2013/08/21
栅氧化层
氧化硅
高K介质材料
隧穿效应
栅介质层
微电子技术
新型高k栅介质材料研究进展
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2002, 期号: 04
章宁琳
;
宋志棠
;
万青
;
林成鲁
收藏
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浏览/下载:98/0
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提交时间:2012/03/29
K1 MOSFET
高k材料
栅介质