机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2003 [1]
• 2001 [3]

学科主题

• 半导体物理 [2]
• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2003, 卷号: 15, 期号: 31, 页码: 5383-5388 Gong Z; Fang ZD; Xu XH; Miao ZH; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：238/7  |  提交时间：2010/08/12 1.35 MU-M  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE   Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：120/4  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence  molecular beam epitaxy  InGaAs capping layer  1.35 MU-M  OPTICAL-PROPERTIES  EMISSION  LAYER   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/15 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1062-1068 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：83/6  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS