机构

• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2000 [1]
• 1998 [1]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of arsenic precipitates on Fermi level in GaAs grown by molecular-beam epitaxy at low temperature 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: 2923-2925 Chen YH; Wang ZG; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  200-DEGREES-C  ABSORPTION  DEFECTS   Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 15, 页码: 1866-1868 Chen YH; Yang Z; Wang ZG; Li RG 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 BEAM-EPITAXIAL GAAS  HOPPING CONDUCTION  200-DEGREES-C  SPECTROSCOPY  DEFECTS   Effect of thermal annealing on optical emission properties of low-temperature grown AlGaAs/GaAs multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 69, 期号: 23, 页码: 3513 Feng, W; Chen, F; Wang, WX; Cheng, WQ; Yu, Y; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LIFETIME  GAAS  200-DEGREES-C